[전자통신 기초실험] JFET 직류특성

소개글

JFET 직류특성 예비레포트 입니다!!
제가 직접 작성!!
바로 쓰려도 대요~

목차

◆ 실험제목 : 3-14 JFET의 직류 특성
1.목적 : 접합 FET의 직류 특성을 조사한다.
2.관련이론
3.시료및 사용기기
4.실험순서

본문내용

※ 접합형 전계효과 트랜지스터 [JFET, junction field effect transistor]
p-n 접합에 의해 절연된 게이트 전극이 전류 통로를 제어하는 전계 효과 트랜지스터(FET)로 각종 전자기계와 측정기 및 자동제어회로에 이용되고 있다.
< N-channel JFET > < P-channel JFET >
위 그림은 N-channel 과 P-channel 의 JFET의 구조에 대해서 나타내고 있으며 N-channel JFET를 기준으로 설명을 하자면 이것은 n형 반도체의 실리콘 막대에 양쪽에서 p형 물질을 주입시켜 만든 것이다. 그림에서 아래쪽의 단자는 자유전자가 이점으로부터 디바이스 내부로 흘러 들어가기 때문에 source 단자라고 부르고 위쪽의 단자는 자유전자가 이 점에서 빠져 나가기 때문에 drain 이라 부른다. 2개의 p형 영역은 내부적으로 연결되어 있으며 gate 라고 부른다.
주의해야 할 것은 p형 영역 사이의 공간이 좁다는 점인데 자유전자가 source로부터 drain으로 이동하기 위해서는 이런 좁은 채널을 통과하지 않으면 안된다는 점이다. 채널의 폭은 JFET의 전류흐름의 세기를 결정하기 때문에 아주 중요하다.
P-channel JFET도 역시 N-channel JFET와 유사한 구조를 갖는다. P-channel JFET는 p형 반도체 막대의 양쪽에서 n형 물질을 주입시켜 만드는것이 다른점이다.
1> JFET의 동작원리
< 단일 Gate FET > < 쌍 Gate FET >
위의 그림은 N-channel JFET를 나타낸 것이다. 위에서 다루었지만 다시한번 설명을 하자면 JFET는 Gate, Source, Drain의 3단자를 가지고 있으며, 채널은 N형 반도체로 이루어져 있다. Drain과 source의 단자 리드(lead)는 채널의 위아래에 옴접촉으로 되어있다.

참고 자료

①최신전자공학, 조원사, 최병수 외4명, 98년12월30일, 227p~240p
②대학전자회로 실험, 청문각, 신인철 외3명, 97년2월28일, 237p~245p
③디지털전자회로, 상학당, 최성재 외1명, 00년1월15일, 335p~340p
④기초전자회로, 태영문화사, 이현화, 04년1월15일, 181p~188p
⑤전자회로공학, 교우사, 최성재 외2명, 01년3월2일, 297p~303p