RF sputtering

목차

1. Plasma(RF Sputtering)
2. Working pressure
3. XRD
4. SEM
5. AFM
6. TEM
7. MIM Capacitor

본문내용

1. Plasma(RF Sputtering)

a. basic concept
플라즈마 상태는 고체, 액체, 기체 이외의 물질의 제4의 상태라고 불리워진다. 이러한 플라즈마는, 분자, 원자, 이온 (바닥상태 또는 여기된 상태의), 전자, 양자들로 이루어지며, 전체적으로 준중성으로 알려진, 전기적 중성상태에 있다. 이러한 물질의 상태에 따른 분류에 의하면, 우주의 99%이상이 플라즈마 상태라고 볼 수 있다. 전형적인 예로서, 태양은 그 내부온도가 107에 달한다. 플라즈마 상태는 고체, 액체, 기체들에 비해 큰 에너지를 보유하고 있어서 다양한 분야에서 응용되고 있다.
DC를 사용할 때 Cathode가 전기를 통하지 못하는 부도체일 경우 Cathode에서 이온에게 전자를 제공하지 못하기 때문에 이온이 Cathode 표면에 이온이 쌓이게 된다. 이온이 많이 쌓이면 Cathode 면은 양전위를 띠게 되어 이온은 더 이상 오지 못하게 되고, 플라즈마 내부의 전기적 평형 상태가 깨지게 되어 수 초 내에 플라즈마가 없어지게 된다. 이러한 현상 때문에 부도체를 sputtering, etching 등을 할 때는 교류전원을 사용한다. 교류 전원을 사용하면Electrode에 부착된 부도체 표면에 주기적으로 양전위를 가해주게 되어 표면에 쌓이는 이온을 떨어뜨리게 된다. 요즘 DC를 이용하여 SiO2 등의 부도체를Sputtering하는데 이것은 주기적으로Target에 양전위를 공급해줌으로써 가능해졌다.

b. gas for plasma generation
불활성 기체 사용 - Ar, Kr, Ne 등등 주로 Ar 사용

참고 자료

없음