반도체, P램, D램, 차세대반도체

소개글

반도체, P램, D램, 차세대반도체에 대한 전반적인 내용이며,
종류에 대하여 기술한 레포트 입니다.

목차

반도체란?
반도체의 역사
RAM
메모리 반도체의 종류
차세대 메모리 반도체
(종류 및 특징)
차세대 반도체인 이유
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본문내용

§ 차세대 메모리 반도체

메모리는 높은 저장 밀도, 빠른 속도, 비휘발성, 낮은 생산 가격, 낮은 전력 소모 등 다양한 조건을 만족해야 합니다. 그러나 현재 상용화되어 있는 DRAM, SRAM, Flash 메모리 등은 이러한 조건들의 일부를 만족시키고 있습니다. 특히, 주류를 이루고 있는 DRAM은 기억된 정보가 빨리 소멸되는, 즉 휘발성이라는 단점을 지니고 있습니다. 이로 인해 매우 짧은 주기로 동일한 정보를 다시 기억시켜야 하며, 결과적으로 많은 전력을 소모합니다. 이에 FRAM (강유전 메모리), MRAM (강자성 메모리), PRAM (상전이 메모리) 등의 대안이 제시되었습니다. 이들은 DRAM이 가지는 장점들을 일부 보유하면서 비휘발성을 구현할 수 있는 차세대 메모리로 인식되고 있습니다.
FRAM은 강유전 박막 커패시터에 전기장을 가한 후, 전기장 0에서 잔류하는 분극 (2Pr 또는 sensing margin)의 방향과 크기로 비휘발성 정보를 저장합니다. 현재 삼성전자, 토시바, 히타치 등 비휘발성 메모리 분야의 선두 업체에서는 Pb(Zr,Ti)O3 (PZT) 등을 이용하여 FRAM 소자를 구성하고 있습니다. 한편, MRAM은 강자성 박막에 잔류하는 자기모멘트의 방향과 크기로 비휘발성 정보를 저장합니다

1. FRAM (Ferro-electric RAM)

DRAM이 가지는 메모리의 휘발성 결점을 극복하고자 EPROM, EEPROM, 플래시 등 여러 가지 메모리 디바이스들이 개발되어 왔는데,

참고 자료

없음