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[공학]MRAM

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최초 등록일
2007.06.24
최종 저작일
2007.06
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소개글

MRAM의 기본 구조 및 구동원리, 장점, 단점, 타메모리와의 비교

목차

1. 현재 메모리 사용 현황 및 문제점
2. MRAM의 기술
⒜메모리 쓰기
⒝메모리 읽기
3. MRAM의 장점 및 활용
4.MRAM의 단점
5.MRAM의 향후 전망

본문내용

1. 현재 메모리 사용 현황 및 문제점

메모리는 높은 저장 밀도, 빠른 속도, 비휘발성, 낮은 생산 가격, 낮은 전력 소모 등 다양한 조건을 만족해야 합니다. 그러나 현재 상용화되어 있는 DRAM, SRAM, Flash 메모리 등은 이러한 조건들의 일부를 만족시키고 있습니다. 특히, 주류를 이루고 있는 DRAM은 기억된 정보가 빨리 소멸되는, 즉 휘발성이라는 단점을 지니고 있습니다. 이로 인해 매우 짧은 주기로 동일한 정보를 다시 기억시켜야 하며, 결과적으로 많은 전력을 소모합니다

이런 큰 전력 소모를 해결 할 수 있는 것이 MRAM이다. MRAM은 비휘발성 플래시 메모리보다 1,000배 정도 빠르고 DRAM보다 10배 이상 빠른 속도를 내는 초고속 메모리다.
실리콘으로 만들어진 트랜지스터는 갈수록 크기가 작아져 이제는 하나의 칩에 1억 개가 넘는 트랜지스터를 집적할 정도가 되었다. 칩의 성능은 얼마나 많은 트랜지스터를 집적하느냐에 달렸다고 해도 과언이 아니다. 그러나 이제 칩과 칩 사이의 통신 속도는 한계에 도달했다. MRAM은 이 같은 문제를 해결하기 위해 칩과 칩 사이를 배선이 아닌 전기장으로 연결한다. 트랜지스터에 전하의 움직임이 나타나면 칩 주변에는 전기장이 형성된다. 전기장은 근접한 다른 칩에 같은 수치를 부여한다. +전하가 1, -전하가 0일 때 전기장이 마치 무선 통신망처럼 작용하는 것이다.
이런 방식으로 칩과 칩 사이를 연결하면 배선을 이용할 때보다 통신 속도가 60배 정도 빨라지는데, 이런 방식을 ‘Proxi mity communication’이라고 부른다.

참고 자료

없음
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