[실험보고서]Hall Effect 실험

소개글

n-형 게르마늄

목차

lorentz force
hall effect
measure
결론

본문내용

q : 입자의 전하
1e속도(m/s=1.6 × 10 C
B : 자속밀도
1T = (N/S)/(m/s) = N/Am = 10 G
v : 전하의 속도(m/s)
Φ : B, v 사이에 이루는 각


하전입자가 자기장 속에서 운동할 때 받는 힘으로, 즉 운동하는 전하에 대해서는 힘을 미치나, 힘의 방향은 자속과 속도 방향과 수직이므로 정자기장은 운동하는 하전입자에 대해서는 일을 하지 않고, 다만 그 운동방향만 바꿀 뿐이다

Hall Effect
n형 이나 p형 반도체 소자를 자기장 속에 넣고 자기장과 수직방향으로 전류 를 흘리면Lorentz Force를 받아 자기장과 전류에 수직방향으로 기전력(Hall Voltage)이 발생되는 현상 
Hall Voltage Hall Effect 에 의해 발생한 기전력     


시편:n-type Ge시편(w:20mm, b:10mm, d:1mm)
변수:Magnetic Field :0.1T, 0.2T, 0.3T
Current:0mA~0.33mA
(1)n-type Ge시편에 전류를 흘리고 그 수직방향으로 코일에서 형성된 자기장을 탐침봉으로 쏘아준다. (2)실험은 총3회 자기장이 각각 0.1T, 0.2T, 0.3T일때 0.02mA씩 0.33mA까지 전류값을 변화시켜 그에 따른 홀전압의 변화와 차이를 측정한다.
(3)실험결과를 토대로 변수에 따른 홀전압과 캐리어의 농도 캐리어의 속도 이동도를 구한다.

참고 자료

없음