[전자공학]PN접합 정전기학

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최초 등록일: 2005.12.11
최종 저작일: 2005.12; 13페이지/ MS 파워포인트; 가격 2,000원

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반도체 소자공학의 PN접합 정전기학에 대한 Seminar자료 입니다.

본문내용

Status After PN junction

접합부근에서 전자와 전공이 이동하여 Recombination발생.
-.Carrier가 없어지고, (+),(-)이온에 의해 전위 장벽(=Contact Potential)이 발생.
-.PN접합에서 발생하는 전압 (Ge :약 0.3~0.4V , Si: 약 0.6~0.7V)
* 공간 전하 영역(Space Charge Layer) – Carrier가 없는 영역.

Idealized profiles of junction
Junction definition
: P형 Dopant를 균일하게 도핑된 N형
웨이퍼에 확산시켜 pn접합이 형성.
Idealized doping profiles(이상화된 도핑분포)
-. Step junction(계단형접합)근사의 경우
: Ion주입이나 조금 Doping된 초기웨이퍼로의 얕은 확산에 만족스럽게 근사화 됨.(도핑은 급격하게 감소)
-. Linearly graded junction근사의 경우
(선형적 경사형 접합)
: 많이 Doping된 초기웨이퍼의 깊은 확산에 적합.(도핑은 완만하게 감소)

참고 자료

반도체 소자공학,VLSI공학

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