[컴퓨터 이론] 플래시 메모리 카드란 무엇인가?

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최근 플래시 메모리 사용이 급격하게 증가하고 있다. 디지털 카메라, PDA, 디지털 음악 재생기 또는 휴대전화 등 모든 제품들이 중요한 정보를 저장하고 전송하는 편하고 안정적인 방법을 필요로 하고 있기 때문에 더더욱 플래시 메모리가 각광 받고 있다.

전원을 꺼도 데이터가 소실되지 않고 보존되는 비휘발성 메모리인 ROM의 종류에는 제조자에 의하여 공장에서 프로그램되는 mask ROM과 전기적으로 프로그래밍과 소거가 반복적으로 가능한 EEPROM 등의 여러 종류가 있다. 플래시 메모리는 기존 EEPROM 셀의 구성과 동작을 변형한 것으로 그 명칭은 1984년 도시바가 [Flash EEPROM] 이라는 이름으로 논문을 발표한 것에서 유래되었다. 플래시 메모리는 전기적 소거 동작이 원하는 Block, Sector 또는 전체 chip 단위로 수행되고, 프로그램은 한 개의 비트 단위로도 수행 할 수 있도록 Architecture(대형의 복잡한 컴퓨터 구성 요소를 배치해 조직화 하는 구조상의 방식)로 구성한 EEPROM의 개량된 형태를 가리키는 것이다. 플래시 메모리는 기억 단위가 섹터로 분할되어 포맷되는 디스크 형 보조 기억 장치와 그 구조가 유사하다.

플래시 메모리의 구조 방식(Architecture)은 크게 비트 선과 접지선 사이에 셀이 병렬로 배치된 NOR형 구조와 직렬로 배치된 NAND형 구조로 나눌 수 있고, 다시 NOR형은 그 변형 구조인 AND형, DINOR형, VGA(Virtual Ground Array)형으로 나눌 수 있다. NOR형은 read와 program동작을 위한 address decoding을 DRAM의 것과 유사하게 구성하여 주변회로가 간단해지고 읽기 동작 시간이 작아지는 장점이 있으나 각 셀마다 비트선의 접촉전극이 필요하므로 NAND형에 비하여 셀 면적이 커지는 단점이 있다. NAND 형은 읽기 동작에 앞서 먼저 해당 block을 선택해야만 하고, 각 셀이 직렬로 연결되어 동작 저항이 크기 때문에 읽기 속도가 상대적으로 느리다는 단점이 있다. 한편 개량 NOR형은 기존의 NOR형과 NAND형의 장점을 취한 것으로 복수 개의 셀 트랜지스터를 공통 소스 선과 공통 비트 선 사이에 병렬로 구성하여 비트선의 접촉전극을 생략한 구조이다.

참고 자료

http://kr.ks.yahoo.com/service/ques_reply/ques_view.html?dnum=LAN&qnum=52545
http://kin.naver.com/browse/db_detail.php?d1id=1&dir_id=104&docid=10267
http://kin.naver.com/browse/db_detail.php?d1id=1&dir_id=10405&docid=302801
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http://kin.naver.com/browse/db_detail.php?d1id=5&dir_id=50103&docid=41193
http://www.bec.co.kr/product/product.asp?category=01
http://kdaq.empas.com/dbdic/db_view.tsp?num=3388029&ps=src&pq=
워드프로세서 1급 필기 : 피씨 기본상식 P 54-아카데미소프트출판사