[트랜지스터] 트랜지스터의 특성

소개글

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목차

1. 제목

2. Abstract

3. BackGround
(1) 트랜지스터
(2) 베이스 전송률
(3) 이미터공통 직류전류 이득

4. Simulation Result
실험1) PNP 다이오드의 4가지 특성
실험2) NPN 다이오드의 4가지 특성
실험3) PNP 공통 에미터 접지 회로
실험4) NPN 공통 에미터 접지 회로

5. Experiment Result

6. conclusion

본문내용

2. Abstract
PNP, PNP형 트랜지스터의 이미터, 베이스, 컬렉터 구조 이해와 이미터와 베이스, 컬렉터와 베이스간의 바이어스 전압에 따른 트랜지스터의 4가지 동작(Saturation, Active, Inverted, Cut off)을 구분 이해한다.

3. BackGround
(1) 트랜지스터
트랜지스터는 3개의 단자를 가지며 2개의 단자를 가진 다이오드와는 다르다. 다이오드는 p 형 물질과 n형 물질로 구성되어 있고 트랜지스터는 2개의 n형 물질 사이에 1개의 p형 물질이 있거나 (npn 트랜지스터), 2개의 p형 물질 사이에 1개의 n형 물질이 있다.(pnp 트랜지스터) 트랜지스터는 3개의 층을 가지고 있는데 각각 이미터, 베이스, 컬렉터로 구분된다. 이미터는 보통 무겁게 도핑된 중간 크기의 층이며, 전자를 방출하거나 주입하는 역할을 한다. 베이스는 중간 정도로 도핑된 얇은 층으로서, 전자를 통과 시킨다. 컬렉터는 전자를 모으기 위하여 설계되어 있으며 가볍게 도핑한 커다란 크기의 층이다. 트랜지스터는 2개의 pn 접합을 붙여 이상화 할 수 있다. 이를 바이폴라 접합 트랜지스터라고 한다. 이미터 단자의 화살표는 트랜지스터가 npn형 또는 pnp형인가에 따라 방향이 바뀐다. 다이오드에서와 마찬가지로 화살표의 앞부분은 이미터와 베이스 사이의 전류의 방향을 나타낸다.

참고 자료

없음