[박막공학] MOCVD,CVD.VPE

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최초 등록일: 2004.11.02
최종 저작일: 2004.10; 34페이지/ MS 파워포인트; 가격 2,000원

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MOCVD는 화학적 기상성장법(CVD)중의 한가지로 유기금속의 열분해반응을 이용해 반도체 기판상에 금속화합물을 퇴적, 부착시키는 화합물반도체의 기상성장법.

Micro device의 고성능화,고집화에 대응하기 위하여 새로운 물질의 도입이필요해짐

다양한 물질을 제공한 MO Source를 이용할 수 있는 장비/공정이 필요

반도체 디바이스용 박막의 두께는 10~100A° 정도로 제어해야 하는 점과 단원자층을 순차적으로 성장시킬 수 있는 박막형성법으로 여러가지 다른 방법에 비해 MOCVD법이 많이사용

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