[A+ 실험보고서]전자회로 실험- BJT 트랜지스터, 양극 접합 트랜지스터

소개글

"[A+ 실험보고서] BJT 트랜지스터, 양극 접합 트랜지스터"에 대한 내용입니다.

목차

1. 실험 목적
2. 관련 이론
3. 실험 방법
4. 실험 결과
5. 오차 원인 및 추가 실험 제안
6. 참고문헌

본문내용

➀ 실험 목적
이번 실험에서는 트랜지스터의 V-I 특성 곡선을 분석할 것이고, 바이어스 전압 분배 회로를 만들 것이며, 트랜지스터 소신호 증폭기를 만든 뒤 직접 실험값을 측정하고 분석함으로써 바이폴라 트랜지스터의 원리를 이해할 것이다.

➁ 관련 이론
(1) 양극 접합 트랜지스터(BJT)
양극 접합 트랜지스터(BJT)는 단자가 2개인 다이오드와는 달리 3개의 단자를 가진 전자 소자다. BJT의 구조에는 ‘npn’과 ‘pnp’의 두 가지 구조가 있는데 이번 실험에서는 npn트랜지스터를 사용한다. n형과 p형 반도체를 함께 붙여서 사용하는 BJT는 전자와 정공, 두 캐리어를 모두 사용하는데, 그로 인해 ‘양극(bipolar’)라는 이름이 붙게 되었다.

(2) 얼리 효과(Early effect)
얼리 효과는 미국의 공학자 얼리가 그 원인을 밝혀낸 BJT의 비이상적인 성질이다. 이상적으로는 활성 영역에서 컬렉터 전압에 의해 컬렉터 전류가 변하지 않아야 하지만, 실제로는 그렇지가 않고 이 컬렉터 전압이 증가함에 다라 컬렉터 전류도 조금씩 증가하는 모습을 보인다. 이는 컬렉터 전압이 증가함에 따라 역 바이어스가 더 강하게 가해지므로 공핍 영역이 더 넓어지기 때문이다. 그래프에서 얼리 효과가 나타나는 지점에서 연장선을 그었을 때의 x절편을 얼리 전압() 라고 한다.

➂ 실험 방법
(1) V-I 특성곡선
왼쪽 그림과 같이 회로를 구성한다.
2. 회로 작성이 완료되면 NI ELVIS II의 Launcher’
메뉴에서 ‘Three-Wire-Current-Voltage Analyzer’를 선택한다.
3. Transistor type = NPN Transistor, Collector Voltage Sweep : VC Start 0V ~ VC Stop 1V
VC Step 1V로 세팅하고 실행시킨다.

참고 자료

전자회로와 계측법 실험서 — 이기준 지음(최승호, 박기성 감수)
전자회로와 계측법 교과서 - 이기준 지음(최승호, 박기성 감수)