교류및전자회로실험 실험9-1 트랜지스터 기초실험 예비보고서

소개글

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목차

1. 실험 명 2
2. 실험 개요 2
3. 이론 조사 2
4. 실험 기기 7
5. 예비보고서 문제풀이 7
6. 실험 순서 8
7. 참고 문헌 37

본문내용

1. 실험명
실험 9-1. 트랜지스터 기초실험

2. 실험 개요
전기회로상에서 인덕터와 커패시터가 함께 존재하면 어떤 특정주파수에서 이들 사이의 상 호작용으로 인해 공진(resonance)현상이 나타날 수 있다. 회로의 구성에 따라 공진은 직렬공 진과 병렬공진의 두가지 형태로 나타나며 그 특성은 공진주파수 부근에서 임피던스가 급격 하게 변화하는 현상으로 나타난다. 본 실험에서는 직렬공진과 병렬공진 현상을 실험적으로 확인하고 이것이 임피던스의 주파수특성에 어떤 영향을 미치는지를 살펴 봄으로써 교류회로 의 동작에 관한 이해를 심화하도록 한다.

3. 이론조사
트랜지스터
트랜지스터(transistor)는 N형 반도체와 P형 반도체를 NPN 혹은 PNP의 격층구조로 조합한 소자이고, Collector, Emitter, Base라고 하는 세개의 단자가 있다. 그림1에 본 실험에 사용될 범용 트랜지스터인 2N4401 NPN 트랜지스터의 외관과 기호를 나타낸다.

트랜지스터의 주단자는 Collector와 Emitter이다. 따라서 트랜지스터의 전류는 Collector에서 Emitter로 소자를 관통하여 흐르는 전류 IC를 말하며 트랜지스터 소자의 양단 전압은 Collector와 Emitter 사이에 걸리는 전압 VCE를 뜻한다. 트랜지스터의 특성이란 이들 두 변수 사이의 전압-전류 간 관계를 의미하는데, 사용자가 base 단의 전류를 변화시킴으로써 그림2와 같이 특성곡선을 변화시켜 줄 수 있다. 따라서 base는 트랜지스터의 동작을 사용자가 제어하기 위해 사용하는 제어단자라 할 수 있다.
IB가 0일 때는 collector와 emitter 사이의 임피던스가 매우 커서 open되는 것과 같아 cutoff상태(A곡선)에 있다고 한다. 그러나 IB를 인가하면 특성곡선이 변화해서 그림3의 B곡선과 같은 특성을 나타낸다.

참고 자료

광운대학교 전기공학과, 교류및전자회로실험, 76-84p.