서강대학교 22년도 전자회로실험 9주차 결과레포트

소개글

전자회로실험
"서강대학교 22년도 전자회로실험 9주차 결과레포트 (A+자료)"입니다

목차

1. 실험 목적
2. 이론
3. 실험 및 결과
4. Discussion

본문내용

1. 실험 목적
- BJT를 이용한 A급 음성 전력 증폭기의 동작을 확인해본다.

2. 이론
- MOSFET

NMOS는 p-type substrate위에 n+의 source, drain단자를 구성하고, 채널과 oxide로 분리되어있는 Gate를 이용해 channel에 전류가 흐르는 것을 조절하는 3 terminal device이다.

- NMOS의 ID – VDC 특성

VG가 threshold voltage Vth¬보다 크다면, n-channel이 형성되어 드레인과 소스 사이에 전류가 흐를 수 있다. 이때 VDS에 따라 mos의 동작 영역이 triode region과 saturation region으로 나뉘어진다. VDS가 Vgs – Vth = VOV보다 작다면, 선형영역, 그보다 크다면 포화영역으로 작동하게 되고, 포화영역에서는 전류가 VDS에 영향을 받지 않는다. 이때 전류의 값은

위와 같은 공식으로 얻을 수 있다.

- MOSFET 바이어스 회로

BJT에서와 마찬가지로, 원하는 동작영역에서 트랜지스터를 사용하기 위해서는 저항을 이용해 각 단자의 바이어스 조건을 만족시켜야 한다. 이때 gate의 전류는 절연체 oxide의 영향으로 IG = 0A이다.

- 공통 소스 증폭기

트랜지스터가 포화영역에 위치하고, 게이트에 소신호전압이 인가된다면 위와 같은 공통 소스 증폭기가 된다. 이때 biasing point에서 소신호 vgs의 변화에 따라 id가 변화하게 되는데, 이때의 transconductance는 gm = kn(VGS – Vth)이다.

MOSFET 또한 BJT와 마찬가지로 위와 같은 소신호 등가회로를 이용해, 소신호에 대한 전류 전압특성을 구할 수 있다. 공통 소스 증폭기의 경우 gain이 (-)의 값을 지니기에, 입력과 출력의 이론상 위상차는 180o이다.
- 공통 게이트 증폭기

참고 자료

없음