Nonmetal Nitride h-BN, g-C3N4, Si3N4, SiON, P3N5-합성 및 특성 분석 report

목차

I. Introduction
II. Study of precursor for synthesis
III. Synthesis, Characterizations and Applications 1) h-boron nitride (BN)
IV. Conclusions
V. References

본문내용

Abstract
Nitrogen 을 포함하는 nonmetal nitride 물질 중 hexagonal boron nitride (h-BN), carbon nitride (C3N4), silicon nitride (Si3N4), silicon oxynitride (SiON), phosphorous nitride (P3N5)의 합성 방법을 알아보고, X-ray diffractometer, UV-Visible spectroscopy, FT-IR, Solid State Nuclear Magnetic Resonance (SSNMR), Transmittance Electron Microscopy (TEM), Scanning Electron Microscopy (SEM), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and Thermogravimetric Analysis (TGA) 등의 분석 기기를 통해 nitride 물질들이 갖는 thermal, mechanical, optical and chemical properties 확인한다.

I. Introduction
Nitride 는 일반적으로 비금속 원소중 Nitrogen 을 포함하는 물질을 말한다. 이와 같은 Nitride 물질들은 photocatalyst, electronics, opto-electronics, wear resistant coatings, sensors 및 high temperature ceramics 등 다양한 분야에 응용되고 있다. 이들 물질의 몇가지 예들은 다음과 같은데 photoctatlyst 의 경우 가시광에서도 감응하는 photocatalyst 를 만들기 위해 wide bandgap 인 광촉매 물질 nitrogen 을 dopant 로 사용해 bandgap 을 조절하게 되는데 TiON, LaTiO2N, GaN, Ta3N5 등의 nitride가 photocatlayst 사용

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