실험 8. BJT 회로의 특성 실험

소개글

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목차

1. 목적
2. 사용기기 및 부품
3. 관련 이론
4. 실험 순서
5. 검토사항
6. 기초문제
7. 결과 및 토의

본문내용

[목적]
● 트랜지스터의 전압-전류의 특성을 관찰하고 BJT의 전압전류 특성곡선이 다이오드의 전압 전류 특성과 일치함을 이해할 수 있다.
● 트랜지스터가 PN 접합형 다이오드로 사용될 수 있음을 확인한다.
● 트랜지스터의 V-I 특성곡선을 구하고 I_E = I_B+ I_C의 관계를 실험을 통해서 확인한다.
● α= I_C/I_E 를 이해시킨다.

[사용기기 및 부품]
(1) 직류전원장치 (power supply unit) 1대
(2) VOM , DMM 1대
(3) 브레드보드
(4) 2재널 오실로스코프 1대
(5) 함수 발생기 1대
(6) 1/2W : 100Ω, 1KΩ, 5.6KΩ, 10KΩ, 100KΩ
(7) 점퍼선
(8) 트랜지스터 2N3904, 2N3906

[관련 이론]
◆ 트랜지스터의 구조
다이오드와 유사하게 트랜지스터도 반도체 물질로 구성된다. 그러나 다이오드와 트랜지스터 의 차이점은 다이오드가 두 개의 반대로 도핑된 영역과 한 개의 PN 접합을 갖는 반면 트랜지스 터는 교대로 도핑 되는 3개의 영역과 두 개의 PN 접합을 가진다는 점이다. 그림 8-1(a)에 표시 된 NPN형 트랜지스터는 베이스로 표시되는 얇고, 약하게 도핑된 p형 영역이 컬렉터와 이미터로 알려진 두 개의 n영역 사이에 샌드위치의 형태로 되어있다. NPN형 트랜지스터의 회로기호는 그 림 8-1(b)에 표시되어있다. PNP형 트랜지스터는 그림 8-1(c)에 표시되어 있다.

참고 자료

없음