반도체 공정 term project

소개글

"반도체 공정 term project"에 대한 내용입니다.

목차

I. Introduction (혹은 서론)
II. Body
III. Conclusion and discussion (혹은 결론 및 고찰)

본문내용

Abstarct(혹은 초록)
Sputtering은 Chamber내에 공급되는 가스에서 발생되는 전자 사이의 충돌로부터 시작된다. 그 과정을 보면 Vacuum Chamber내에 Ar gas와 같은 불활성기체를 약 2~5mTorr 넣는다. 음극에 전압을 가하면 음극에서부터 방출된 전자들이 Ar기체원자와 충돌하여, Ar을 이온화시킨다. Ar이 들뜬 상태가 되면서 전자를 방출하면, 에너지가 방출되며 이때 글로우방전이 발생하여 이온과 전자가 공존하는 보라색의 플라즈마를 보인다. 플라즈마 내의 〖Ar〗^+이온은 큰 전위차에 의해 음극인 target쪽으로 가속되어 타겟의 표면과 충돌하면 중성의 target원자들이 튀어나와 기판에 박막을 형성한다. DC Sputtering방법은 직류전원을 이용한 Sputtering 방법으로 구조가 간단하며 가장 표준적인 sputter 장치이다. DC spttering방법의 경우 target이 산화물이절연체 일 경우 Spttering되지 않아 이러한 단점을 해결할 수 있는 방법이 RF Sputtering이다. RF Sputtering방법은 target이 금속 이외에도 비금속, 절연체, 산화물, 유전체 등의 sputtering이 가능하며 주로 13.56MHz의 고주파 전원을 사용한다.

I. Introduction (혹은 서론)
Sputtering 현상은 1852년 Groove가 유리관 속의 직류방전 중에 처음으로 발견하였다. 1974년 Chapin은 평탄한 target의 하부에 자석을 설치하여 Magnetron Sputtering을 발명했다. 이후 다양하고 우수한 박막을 코팅할 수 있게 되어 급속히 넓은 산업 분야에 이용되기 시작했다(일반적으로 ‘Magnetron Sputtering’을 Magnetron을 생략하여 ‘Sputtering’이라고 부르기도 한다).

참고 자료

없음