차세대메모리 반도체(MRAM, PRAM, RRAM) 발표자료

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목차

1. Introduction - 주제 선정 이유

2. 기존 메모리 반도체
1) DRAM
2) NAND FLASH

3. 차세대 메모리 반도체
1) MRAM
2) PRAM
3) RRAM

4. Conclusion

5. Q & A

참고문헌

본문내용

MRAM의 전망
❖ 장점
• 저전력 특성을 갖기에 에너지 효율성 측면에서 중요한 의미를 갖는다
• 다른 차세대 메모리 반도체에 비해 우월한 쓰기 속도를 갖는다

❖ 단점
• 저항비가 낮아 센싱 시그널이 작다
• Switching 전류가 커서 Shrink에 어려운 문제가 있다
• 비휘발성 특성의 신뢰성 부족의 문제

❖ 해결책
• Double MgO 방식의 새로운 Cell구조 개발
• Voltage Control 할 수 있는 새로운 Cell구조 개발

PRAM (Phase-chnge Random Access Memory)
• 가역적 변화가 가능한 상변화 물질 사용 (핵심)
• 전기적 펄스에너지에 의한 열에너지로 상전이 유발
• 두 상간의 저항 차이를 이용해 정보처리

▸ 전기신호의 입출력을 위한 상부 및 하부 전극
▸ 전극 사이의 칼코게나이드계 상변화 재료 ❖
▸ 메모리 영역 주위의 절연을 위한 유전체층

참고 자료

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