전자회로실험 모스펫 기본특성 결과레포트

소개글

"전자회로실험 모스펫 기본특성 결과레포트"에 대한 내용입니다.

목차

1.실험 결과
2.고찰 사항
3.실험 고찰

본문내용

2.고찰 사항:

2.1. MOSFET기본 특성

2. 1.1
NMOS는 p-well n이 부분적으로 도핑이 되어 있기 때문에 이 두 개를 이어줘야만 전류가 흐른다. 따라서 게이트에 양전압을 줘 소스와 드레인 사이에 채널이 형성되어서 드레인에서 소스까지 전류가 흐를 수 있다. 반면에PMOS의 경우n-well p가 부분적으로 도핑이 되어 있기 때문에 음전압을 걸어줘야만p와p사이에p채널이 형성되어서 소스에 서 드레인까지 전류가 흐를 수 있다. 일반적으로 소스는 바디와 같은 전압을 인가한다. 누설 전류를 없애기 위하여, 기판은NMOS에서는 가장 낮은 전압, PMOS에서는 가장 높은 전압 쪽에 사용이 된다. PN접합에 역방향 전압을 걸어서 전류를 차단시키는 원리와 같다.

2.2. 포화 영역임. 전류가 최대로 흐르는 구간이기 때문.

2.3. MOSFET바이어스 회로

2.3.1. DC power supply에서 공급되는 전력이 회로 상에 입력하고자 하는 값에 비해 충분한 오차가 발생하고,이에 따라 검출되는DC바이어스 전류 값에 오차가 발생한다.

참고 자료

없음