실험8. 쌍극성 접합 트랜지스터 특성

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목차

1. 실험결과 및 데이터
1-1. 트랜지스터의 형태, 단자, 재료 결정
1-2. 컬랙터 특성곡선
1-3. α와 β의 변화
1-4. 트랜지스터의 특성곡선 결정

2. 고찰

본문내용

1. 실험결과 및 데이터

1. 트랜지스터의 형태, 단자, 재료 결정

a. 트랜지스터 단자에 1, 2, 3을 표시하라.
단자 번호123
단자 결정CBE

c. 미터의 양의 리드를 트랜지스터 단자 1에 음의리드를 단자 2에 연결하고 표에 기록하라
BJT에 연결된 미터 리드 다이오드 검사 지시값
순서 양 음
c 1 2 Open
d 2 1 0.71 V
e 1 3 Open
f 3 1 Open
g 2 3 0.71 V
h 3 2 Open

i. 트랜지스터의 베이스 단자의 숫자를 기록하라
베이스 단자 2
트랜지스터 형태 npn
컬랙터 단자 1
이미터 단자 3
트랜지스터 재료 Si

2. 컬랙터 특성곡선
a. 8.2의 회로를 구성해라

i. 곡선으로 해당 값을 표기하라.

3. α와 β의 변화

a. α와 β를 계산하고 표에 기입하라.

<중 략>

2. 고찰
이번 실험의 목적은 BJT 단자들의 특성을 파악하는 것이었다. 실험 초반 멀티미터를 사용하여 BJT의 종류들인 npn과 pnp를 파악할 수 있었으며 0.71V가 측정됨에 따라 실리콘 BJT임을 알 수 있었다.
가변저항과 BJT를 사용하는 것이 실험 초반에는 복잡하고 측정해야 할 값이 많아 헷갈렸지만 회로의 수정과 두개의 멀티미터를 사용하여 보다 빠른 측정을 할 수 있었으며 실험을 통해 완성한 표를 가지고 특성곡선 또한 만들어 볼 수 있었다.
실험을 마치고 측정값을 분석했을 때 얻은 값과 계산한 값을 사용하여 α는 거의 1이라는 것을 알 수 있었고, β의 값은 일정하지 않으며 V(CB)의 값에 비례적으로 측정된다는 것 또한 알 수 있었다.

참고 자료

전자회로실험 11판