전자회로실험 with pspice 6~10장 레포트(NPN, PNP, MOSFET)
- 최초 등록일
- 2022.08.04
- 최종 저작일
- 2021.06
- 13페이지/
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소개글
"전자회로실험 with pspice 6~10장 레포트"에 대한 내용입니다.
목차
1. 실험 6-1, 6-2. 결과보고서
2. 실험 6-3, 6-4. 결과보고서
3. 실험 6. 실험 사진
4. 실험 7-1. 결과보고서
5. 실험 7-2. 결과보고서
6. 실험 7. 실험 사진
7. 실험 8-1. 결과보고서
8. 실험 8-2. 결과보고서
9. 실험 8. 실험 사진
10. 실험 9-1. 결과보고서
11. 실험 9. 실험 사진
12. 실험 10-1. 결과보고서
13. 실험 10. 실험 사진
본문내용
⋅ 실험 6-1∥ NPN형 BJT 전압분배 바이어스 회로의 동작점 전류, 전압 측정하기
[표 6-6] NPN형 BJT의 전압분배 바이어스 회로 시뮬레이션 결과
R _{C} [k ohm ]
0.47
1.0
1.3
1.8
2.2
2.7
I _{BQ} [mA]
0.067[mA]
0.067[mA]
0.067[mA]
0.067[mA]
0.067[mA]
0.067[mA]
I _{CQ} [mA]
19.8[mA]
19.4[mA]
19.1[mA]
18.8[mA]
18.5[mA]
18.1[mA]
beta _{DC}
295.5
289.5
285.1
280.6
276.1
270.1
V _{BEQ} [V]
1.08[V]
1.076[V]
1.078[V]
1.076[V]
1.082[V]
1.078[V]
V _{CEQ} [V]
10.1[V]
10.07[V]
7.97[V]
5.42[V]
2.48[V]
1.076[V]
V _{CBQ} [V]
8.97[V]
8.994[V]
6.892[V]
4.344[V]
1.397[V]
-0.002[V]
동작모드
순방향 활성모드
포화모드
<중 략>
고찰[1]
- [그림 6-11] 전압분배 바이어스 회로의 컬렉터 저항 R _{C}에 따른 동작점 위치 변화
베이스 바이어스 전류값이 고정된 상태에서 컬렉터 저항이 증가하면 컬렉터 베이스 전압의 값이 점차 감소하면서 순방향 활성모드에서 포화모드로 동작점 위치가 변한다.
참고 자료
없음