반도체 공정 정리본

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목차

I. 반도체 8대 공정 정리
1. Wafer 제조 공정
2. 산화공정
3. Photo 공정
4. Etch 공정
5. Deposition & Ion Implantation 공정
6. 금속배선 공정(Metal 공정, Metallization)
7. EDS(Electric Die Sorting)공정
8. Packaging 공정

II. 반도체와 관련된 Key Word

III. DRAM & NAND Flash

IV. MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)

본문내용

Wafer는 실리콘(Si), 갈륨 아세나이드(GaAs) 등을 성장시켜 만든 단결정 기둥을 적당한 두께로 얇게 썬 원판을 의미한다.
 Si를 사용하는 이유 : 흔하다, 경제적으로 저렴함, 독성이 없어 인체에 무해하다.
1) 잉곳 만들기
실리콘 원료(Poly Silicon)를 뜨거운 열로 녹여 고순도의 실리콘 용액을 만들고 이것을 결정 성장시켜 굳히는 과정  단결정의 Si를 얻는다.
수 나노미터(nm)의 미세한 공정을 다루는 반도체용 잉곳은 실리콘 잉곳 중에서도 초고순도의 잉곳을 사용한다.
2) 잉곳 절단하기(Wafer Slicing)
Ingot 표면을 다듬은 뒤 다이아몬드 톱을 이용해 균일한 두께로 얇게 써는 작업 (Wafer의 크기를 결정)
- 두께가 얇을수록 제조원가 하락
- 지름이 클수록 생산가능 반도체 수 상승
3) 웨이퍼 표면 연마하기(Lapping & Polishing)
표면의 흠결과 거칠기를 제어하기 위해 매끄럽게 만드는 과정
연마핵과 연마 장비(Polishing Machine)을 이용해 웨이퍼 표면을 매끄럽게 갈아낸다.
4) Etching
: Wafer 표면에 가공Damage를 줄이는 공정. 물리적 가공에 의한 데미지를 화학 용액으로 녹여 제거
5) RTP (Rapid Thermal Process)
: 짧은 시간 열을 가해 Wafer 내부의 정결함을 균일하게 만들고 금속 불순물을 억제해 반도체 이상 작동을 막아 준다.
6) Cleaning
7) Inspection
: Wafer의 세부 형상과 평탄도 등 품질을 세밀하게 측정
8) Particle Counting
: Wafer 표면을 정밀하게 검사하는 공정으로 Laser 산란 방식으로 표면 결함의 크기와 개수를 측정

 Czochralski, CZ method
: 다결정의 실리콘을 고열로 녹여 액체상태로 만든 뒤에 단결정 실리콘(Seed)을 접촉시켜 Ingot을 성장시키는 방법.

참고 자료

없음