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목차

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본문내용

CHAPTER 01. PN 접합 다이오드
1.1 PN 접합 다이오드 관련 기초
(1) 반도체 : 전기적인 조건에 따라 도체의 성질을 가지거나 절연체의 성질을 가지는 물질
∙ 단일 원소 반도체 : 실리콘, 게르마늄/화합물 반도체: 갈륨-비소(Ga-As), 인듐-인(In-P)
- 가전자가 에너지를 얻으면 공유결합이 파괴되어 자유전자-정공 쌍이 형성되며, 전계에 의해 이동하여 전류를 운전하는 캐리어 역할을 함.

(2) 에너지 대역
∙ 가전자대역 (충만 대역): 가전자들이 존재하는 가장 높은 에너지 상태
∙ 전도대역: 가전자 대역보다 높은 에너지 상태
∙ 금지대역: 가전자대역과 전도대역 사이에 전자가 존재할 수 없는 에너지 대역
∙ 밴드 갭: 가전자가 공유결합을 끊고 전도대역으로 이동하는데 필요한 최소 에너지

(3) N형 반도체와 P형 반도체
∙ 진성 반도체: 불순물이 첨가되지 않은 순수한 반도체. 전자와 정공의 농도가 같고 상온에서 전류가 매우 작아 절연체와 유사한 성질을 가짐

참고 자료

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