반도체공정 레포트 - High-k

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목차

1. Memory ICs

2. DRAM (Dynamic RAM)

3. Capacitance
1) 전극 사이의 거리(

본문내용

1. Memory ICs
Memory IC는 정보를 담거나 기억할 수 있는 반도체 제품이다. 이러한 Memory IC는 Volatile type과 Non-volatile type으로 분류할 수 있다. 먼저, Volatile(휘발성) type은 전원/전압을 공급하고 있을 때에는 Memory가 가진 정보가 유지되지만 공급이 멈추면 Date가 사라진다. 이와는 달리 Non-volatile(비휘발성) type은 전원/전압의 공급이 멈추더라도 Data가 그대로 유지된다.
그중 Volatile memory는 RAM(Random Access memory)이라고 불리며, Read/Write 모두 가능한 제품이다. 이러한 RAM에는 DRAM과 SRAM이 존재한다.

2. DRAM (Dynamic RAM)
DRAM은 앞서 소개했듯이 Volatile memory에 속하며, 아래의 그림과 같이 기본적으로 Transistor 1개와 Capacitor 1개로 구성되는데, 이는 1T-1C로 표현하기도 한다. 이때, Transistor는 Switch의 역할, Capacitor는 Data 저장 역할을 수행한다. 그리고 Word line(WL)과 Bit line(BL)이 수직으로 교차하는 것을 살펴볼 수 있는데, WL은 Transistor의 Gate와 연결되어 Memory cell의 사용 여부를 결정하고, BL은 Source와 Drain에 연결되어 Memory에 저장될 값을 결정한다.

참고 자료

https://www.samsungsemiconstory.com/kr/%EB%B0%98%EB%8F%84%EC%B2%B4-%EC%9
A%A9%EC%96%B4-%EC%82%AC%EC%A0%84-%EB%A9%94%EB%AA%A8%EB%A6%AC-%
EB%B0%98%EB%8F%84%EC%B2%B4/
https://kiyong91.tistory.com/18