BJT DC 특성

소개글

"BJT DC 특성"에 대한 내용입니다.

목차

1. 실험이론
1) BJT 구조
2) BJT 기본 동작 원리
3) BJT 대신호 모델
4) 순방향 Early 전압(VAF)

2. 시뮬레이션

본문내용

1) BJT 구조
BJT는 NPN형과 PNP형으로 나누어진다. 에미터 아래의 부분이 BJT의 기본 동작이 일어나는 부분이다. 콜렉터는 N+ buried layer, 일정한 도핑 농도를 가지는 N 에피택실 레이어, 표면의 N+콘택으로 구성되어 있다. 기판은 P형 으로 도핑되어 주변의 트랜지스터와 전기적인 격리를 해준다. 즉, 기판과 콜렉터사이에 항상 역 방향 전압이 안가되도록 기판에 회로의 가장 낮은 전압을 걸어준다.

2) BJT 기본 동작 원리
BJT가 활성영역에서 동작할 경우 베이스-에미터 접합은 순방향 전압, 베이스-콜렉터 접합은 역방향 전압이 인가된다. 이 경우 순방향 전압이 안가된 베이스-에미터 접합의 전위 장벽이 낮아지기 때문에 에미터에서의 전자는 베이스로 주입되고 베이스에서의 정공은 에미터로 주입된다.

참고 자료

없음