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트렌지스터 증폭 보고서

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최초 등록일
2022.05.29
최종 저작일
2020.04
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소개글

트렌지스터 증폭도 보고서

목차

6장 트랜지스터의 3가지 영역

7장 트랜지스터의 증폭작용

8.1장 트랜지스터의 증폭도 계산법(1)
8.2장 트랜지스터의 증폭도 계산법(2)
8.3장 트랜지스터의 증폭도 계산법(3)

본문내용

14.6장 트랜지스터의 3가지 영역
1. 회로의 구성
전압원 V1을 0에서 2V까지 DC-SWEEP을 하면서 트랜지스터의 콜렉터에 걸리는 전압값을 조사하여 트랜지스터의 3가지 동작영역을 보기 위한 회로이다. 전압원 V2는 고정값이다.

2. 회로의 해석
트랜지스터의 VBE가 0.6V내외에서 증폭작용을 하게 되며 이 영역은 활성영역이 된다. VBE가 그 이상의 전압에서는 포화영역으로 가게 되어 디지털회로의 ON역할을 하게 된다. 따라서 콜렉터의 출력전압은 0V에 가깝게 된다. 이와 반대로 VBE가 0.6V이하의 영역으로 갈수록 차단영역으로 가게 되어 디지털회로의 OFF역할을 하게 된다. 따라서 콜렉터의 출력전압은 Vcc전압(5V) 가깝게 된다.

3. 시뮬레이션 조건
DC-SWEEP해석을 이용하여 트랜지스터 베이스에 인가하는 전압(V1)을 0V~2V로 가변하는 형식의 조건을 부여한다.

4. 시뮬레이션 결과
이 시뮬레이션은 VCE-VBE에 대한 그래프를 나타낸 것이다.

참고 자료

없음
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