접합, 제너다이오드 단자특성 실험
- 최초 등록일
- 2022.04.19
- 최종 저작일
- 2021.03
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목차
1. 목적
2. 이론
1) 접합 다이오드의 단자 특성
2) 제너 다이오드의 단자 특성
3. 기기 및 부품
4. 준비
5. 실험
1) 부품
2) 실험회로도
3) 브레드보드/실험대표 사진
4) 측정값
6. PSPICE 실험 결과
1) 다이오드의 i-v 특성
2) 제너 다이오드의 i-v 특성
7. 결과비교
8. 실험고찰
본문내용
1. 목적
접합 다이오드의 단자 특성과 제너 다이오드의 단자 특성을 실험을 통해 이해한다.
2. 이론
1) 접합 다이오드의 단자 특성
기본적으로 pn 접합이고 p형 반도체 물질을 n형 반도체 물질에 접촉시킨 것이다.
pn 접합은 하나의 단일 실리콘 결정 내에 서로 다른 도핑영역을 만듦으로써 형성된다.
다이오드의 플러스 단자를 애노드 마이너스 단자를 캐소드라고 부르고 전류는 애노드로 흘러 들어가며, 애노드는 캐소드보다 더 높은 전위를 가진다.
2) 제너 다이오드의 단자 특성
어떤 다이오드들은 특별히 항복 영역에서 동작하도록 제조된다. 이러한 다이오드들은 우리는 항복 다이오드라고 부른다.
제너 다이오드의 정상적인 응용에서 전류는 캐소드로 흘러 들어가며, 캐소드는 애노드보다 더 높은 전위를 가진다.
3. 기기 및 부품
● 기기 : 직류-전력 공급기, 함수 발생기, 멀티미터
● 부품 : 저항기 - 510 OMEGA ,`1k OMEGA
다이오드 – 실리콘 접합 다이오드(고속) 1N4148 (150mA) 또는 정류 다이오드 1N4007 (1A)
제너 다이오드 1N5231 (0.5W) 또는 1N4733A (1W)
<중 략>
7. 결과 비교
다이오드는 PSPICE 시뮬레이션에서 340mV부터 전류 상승이 있었지만 직접 실험한 결과 390mV부터 상승이 있어 미세한 차이를 보였다.
제너 다이오드는 실험결과에서 3.5V부터 증가하는 반면 PSPICE 시뮬레이션 결과에서는
0.4V 근처부터 상승하는 것을 볼 수 있다. 시뮬레이션 결과에서 약간의 오차가 발생한 것을 알 수 있다.
참고 자료
없음