현대물리실험 Photo-lithography 결과레포트

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목차

1. 매뉴얼 관련 질문사항
1) 반도체 8대 공정이 무엇인지 쓰고, 각각 어떤 공정인지 한 문장씩 설명하시오.
2) Positive PR 용액과 Negative PR 용액의 차이를 설명하시오.
3) 매뉴얼 ‘이론’ 부분에 나와있는 과정이 (spin-coating ~ development) 이번 실험에서 어떻게 구현되었는지 대입하여 작성하시오. (대략적으로 쓰고 중요단어가 들어가면 됨)

2. 실험결과

3. 토의 (추가적인 검색을 통해 정보를 얻어, 답변을 작성하세요)
1) RPM은 무엇인가? 그리고 RPM에 변화 따라 샘플에 어떤 영향을 주는가?(도포되는 양과 연관지어 설명하시오)
2) 기판위에 PR용액이 도포가 잘 되지 않았을 때는 어떻게 해야할까?
3) 포토레지스트의 역할은 무엇인가?
4) UV의 역할은 무엇인가?
5) 포토공정과 필름카메라의 원리의 유사성은 무엇인가?
6) 2019년 일본에서 수출규제를 진행한 3가지 품목은 무엇이며, 품목에 대해 간략하게 설명하시오 .
7) EUV 공정은 무엇인가? 다른 공정에 비해 어떤 이점을 가지고 있는가?

본문내용

웨이퍼 제조 공정 : 실리콘을 성장시켜 얇게 썰어, 원판을 만드는 공정을 의미한다.
산화 공정 : 회로 사이의 전류가 흐르는 것을 막거나 이온 주입공정에서는 확산 방지막 역할을 하고, 잘못 식각되는 것을 막는 역할을 하는 산화막을 형성시키는 공정을 의미한다.
포토 공정 : 포토마스크의 회로를 빛에 조사시켜 웨이퍼에 전자회로 패턴을 현상시키는 공정을 의미한다.
식각 공정 : 회로의 패턴을 제외한 나머지 부분을 제거시키는 공정을 의미한다.
증착, 이온 주입 공정 : 웨이퍼에 이온을 주입하여 전도성을 띄게 하는 공정을 의미한다.
금속 배선 공정 : 신호가 잘 전달되도록 반도체 회로 패턴에 따라 금속선을 연결하는 공정을 의미한다.
EDS 공정 : 칩들이 일정 이상의 성능을 가지게 되었는지 수율을 확인하는 공정을 의미한다.

참고 자료

없음