서울시립대 전자전기컴퓨터설계실험3 예비레포트 8주차

목차

1. 실험목표
2. 실험방법 및 예상 실험결과
3. 결론 및 토의
4. 참고문헌

본문내용

1. 실험 목표
MOSFET Transistor의 구조와 특성에 대해 알아보고, 실험을 통해 NMOSFET의 전압에 따른 동작을 살펴본다.

2. 실험 결과 (Simulation)
■ MOSFET
MOSFET은 Metal Oxide Semi-conductor Field Effect Transistor의 약자이며, 전계(Field Effect)를 이용한 트랜지스터 중 하나이다.
MOSFET의 종류로는 P기판을 가지는 NMOSFET과 N기판을 가지는 PMOSFET이 있다. 구조적으로는 Metal층과, 절연막(Oxide), 반도체층으로 이루어져 있으며, Source, Drain, Gate라는 3개의 전극을 갖고 있다. Source는 Carrier의 Source이며(대체로 Ground한다.), Drain은 그 Carrier들을 빨아들이는 역할을 한다. 각각의 종류마다 Majority Carrier가 다르다.
Drain과 Source를 구별하는 법은 각각이 가지고 있는 전위이며, Gate에 인가하는 전압을 이용해, Carrier가 지나다닐 수 있는 Channel을 만들고, Gate전압에 의한 Field Effect로 Source와 Drain 사이에 흐르는 전류를 조절한다.

■ N-MOSFET의 동작
NMOS기준으로 Gate전압이 큰 양의 값을 가져, 문턱 전압(VTH)을 넘으면, MOSFET은 Inversion 상태가 되어 Mobile Carrier들이 이동할 수 있는 Channel을 형성하게 된다.
앞으로 다룰 내용은 Source가 GND되었을 때, Gate에 인가한 전압 VG가 VTH 보다 큰 경우이다.
*Source가 GND가 아닌 전압을 가지면, VGS> VTH 여야 MOSFET이 동작한다.
√ Accumulation상태, Depletion상태는 생략하고 기술하였다.

- Linear 상태
Triode상태라고도 부르며, 위의 그림상으로 초록점 왼쪽의 영역을 뜻한다.

참고 자료

7번째 실험 교안
Microelectronic Circuits 7th Ed. (Sedra & Smith)
MOSFET : https://ko.wikipedia.org/wiki/MOSFET
2N7000 : http://www.futurlec.com/Transistors/2N7000.shtml
FDC6329L : https://html.alldatasheet.com/html-pdf/1059586/ONSEMI/FDC6329L/252/1/FDC6329L.html