ITRS roadmap 2005 Front End Processes 번역정리
- 최초 등록일
- 2022.02.21
- 최종 저작일
- 2021.11
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본문내용
Scope
FEP 로드맵은 MOSFET, DRAM storage capacitors, FeRAM devices와 관련된 미래의 process 요구사항 및 솔루션에 중점을 둔다. 이 장의 목적은 이러한 device와 관련된 핵심 FE wafer 제조 공정 기술 및 material에 대한 미래 요구 사항과 솔루션을 정의하는 것이다. 따라서 이 로드맵은 silicon wafer substrate에서 시작하여 contact silicidation processes를 통해 확장되는 단위 및 통합 process뿐만 아니라 도구, material를 포함한다.
일부 FEP 관련 주제는 이 로드맵의 다른 섹션에 나와 있다. FEP 요구 사항을 주도하는 확장된 device 성능 및 구조의 예측은 Process Integration, Devices, and Structures (PIDS) chapter에서 다룬다. Trench 절연을 위한 copper/low-κ dielectrics cleaning과 surface preparation, plasma etch 및 CMP에 대한 문제는 interconnect 도구 문제와 겹치기 때문에 Interconnect chapter에서 찾을 수 있다. FEP의 crosscut 요구 사항은 Yield Enhancement, Metrology, Environment, Safety, & Health, 그리고 Modeling & flex2038Simulation에서 다루고, FEP factory 요구사항은 Factory Integration chapter에서 다룬다.
참고 자료
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