[고분자재료실험]ITO patterning 결과레포트

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목차

1. 실험목표

2. 실험 배경

3. 실험내용

4. 실험 결과 및 고찰

5. 토의사항
1) PR의 종류(positive or negative)에 따라 pattern이 형성되는 모양을 생각해 보자.
2) Baking 조건, 노광 시간, etching time 등 최적의 조건을 찾아본다.
3) 각 공정 시 주요한 원리 및 반응을 이해한다.

6. 참고문헌

본문내용

1. 실험목표
.OLED/PLED/OTFT/OPV device의 투명전극으로 사용되는 ITO를 원하는 pattern으로 식각하는 법을 습득한다.
.Photo lithography에 사용하는 각 공정의 원리와 공정 시 주의점을 습득한다.

2. 실험 배경
photoresist(PR)를 roll coater 또는 spin coater를 사용하여 ITO 전면에 균일하게 도포 한다. 도포된 PR film에 잔존하고 유기 용매 성분을 제거하고 경화시켜 광화학 반응이 잘 되도록 하기 위해 pre-bake를 실시한다. Pre-bake된 기판 위의 PR film에 원하는 pattern의 photo-mask를 통하여 UV광을 선택적으로 투과시키어 노광시키고 PR film에 UV의 선택적인 노광을 거치면서 감광된 부분의 PR이 분자 결합 구조를 변화시키게 되고 이에 따라 알칼리 성분 수용액인 현상액에 용해된다.
현상이 끝나면 미미하게 남아있는 PR 내부의 PEGMEA와 같은 solvent를 제거하고 세척 후 완전한 수분제거를 목적으로 후 열처리를 시켜줘야 하는데(post-bake) 이러한 열처리를 통해 PR film이 강산 조건에서의 etching 공정에 대해 충분한 저항성을 가지게 되며 glass 기판과 PR과의 물리적 접착력도 향상된다.

참고 자료

문두경, 고분자 재료실험
이창훈, 반도체 소소제공, 더인 출판사, 2019, pp.170-174.