[서울시립대 반도체소자] 5단원 노트정리 - MOS Capacitor
- 최초 등록일
- 2021.12.31
- 최종 저작일
- 2021.03
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소개글
ㄱㅇ교수님이 과제로 줄곧 내주곤 하시는 노트정리입니다!
손글씨로 내야 하지만 제가 악필이어서... 워드 파일로 변환했습니다.
약자를 많이 사용했습니다!
예시: definition -> def. , condition -> cond. , purpose -> purp. , proof -> pf. , confer -> cf. , electron -> e,
어떤 내용이든 정의, 조건, 목적 등의 항목들을 기준으로 정리하고자 노력했습니다
목차
1. MOS capacitor
1) flat band, surface acc & dep
2) Threshold voltage & strong inversion
3) MOS C-V characteristics
4) PMOS
5) Q_{inv} (practical)
6) CCD / CMOS imager
본문내용
5. MOS capacitor
purp.) PN junction (S, D) 없는 것 제외하면 현재도 사용되는 구조.
cond.) body is considered as GND
5-1. flat band, surface acc & dep
E diagram
cf.) e affinity: Vacuum lev ~ Fermi lev
no V_{gate} (technically depletion)
<중 략>
threshold condition
def.) Q_{inv} surface e 농도 = bulk doping h 농도channel e < bulk h: sub-threshold behavior (not enough current)channel e > bulk h: strong inversion (inversion charge proportional to induced voltage)
참고 자료
없음