[논리회로실험] RAM 예비보고서

소개글

21-1 직접 작성한 A+ 만점 보고서입니다.

목차

1. 실험목적
2. 실험이론
3. 실험부품
4. 실험과정 및 예상 결과

본문내용

1. 실험목적

1) 반도체 메모리의 기본적인 동작 원리를 알아보고 16-bit 기억 소자의 동작을 실험을 통해 확인한다.

2. 실험이론

1) RAM (Random Access Memory)

- 기억된 정보를 읽어내기도(read) 하고 다른 정보를 기억시킬(write) 수도 있는 메모리
- 주기억장치, 응용프로그램의 일시적 로딩, 데이터의 일시적 저장 등에 사용
- 전원이 끊어지면 기록된 정보가 날아가기 때문에 휘발성 메모리(Volatile Memory)라고 함
- 트랜지스터를 집적한 IC를 이용하여 기억소자로 사용하고 읽을 때 랜덤하게 읽을 수 있기 때문 에 읽고 쓰는 속도가 매우 빠름
- SRAM, DRAM, SDRAM, EDRAM, DDR SDRAM, DDR2 SDRAM..

2) DRAM (Dynamic Random Access Memory)

- 데이터를 유지하기 위해 일정 시간마다 재생해주어야 하는 램
- 정보를 구성하는 각각의 비트를 각기 분리된 축전기에 저장하는 기억 장치
- 각각의 축전기가 담고 있는 전자의 수에 따라 비트의 1과 0을 나타냄
- 한 개의 비트를 저장하기 위해 한 개의 트랜지스터와 한 개의 커패시터가 필요함

3) SRAM (Static Random Access Memory)

- 전원이 공급되는 동안 데이터가 유지되는 램, 일정 시간마다 재생해 주지 않아도 됨
- 플립플롭 방식을 이용함
- 데이터의 읽고 쓰기가 이루어지는 주소와 관계없이 입출력에 걸리는 시간이 일정함

참고 자료

없음