단계별 전자회로실험 공통소오스증폭기 예비보고서

소개글

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목차

1. 실험 개요
2. 실험 기자재 및 부품
3. 배경 이론
4. 실험회로 및 PSpice 시뮬레이션
5. 실험 절차
6. 고찰사항
7. 예비 보고 사항

본문내용

실험 개요. 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 공통 소오스 증폭기의 동작 원리를 공부하고, 실험을 통하여 특성을 측정하고자 한다. 공통 소오스 증폭기는 게이트가 입력 단자, 드레인이 출력 단자, 소오스가 공통 단자인 증폭기로서 높은 전압 이득을 얻을 수 있는 장점이 있어 널리 사용되고 있다. 이 실험에서는 공통 소오스 증폭기의 입력 출력 특성 곡선을 구하고, 소신호 등가회로의 개념을 적용하여 전압 이득을 구해본 다음, 실험을 통하여 동작을 확인하고자 한다.

실험 기자재 및 부품
• 디지털 멀티미터• 2N7000(NMOS) (1개)
• 오실로스코프 • 저항
• DC 파워 서플라이• 함수 발생기• 커패시터

11.1 배경 이론
공통, 소오스 증폭기
[그림 11-1 ]과 같은 기본적인 공통 소오스 증폭기에서 입력 (v1)은게이트-소오스전압 (Vgs)이고, 출력 (vo )은드레인소오스 전압 (Vds)이다. 게이트 소오스 사이의 소신호 입력 전압에 비례하는 전류가 드레인에 흐르고, 이 전류가 출력쪽의 저항 RD에 의해 전압으로 변환되면서 전압을 증폭시킨다.

[그림11-2]는 공통소오스 증폭기의 전압 전달 특성을 나타낸다. 출력 전압은 식(11.1)과 같이 표현 할 수 있으며,V1전압에 따라서 MOSFET의 동작 영역을 크게 세가지로 나눌 수 있다.

Vo=VDD-iD*RD (11.1)

① 차단 영역 : V1 전압이 X와 A점 사이일 경우에는 MOSFET이 차단 영역에서 동작하며, 드레인 전류가 흐르지 않는다.

②포화영역: 전압이 A와 B점 사이일 경우에는 MOSFET이 포화 영역에서 동작하며, 드레인 전류 및 출력 전압은 식 (11.2), 식 (11.3)과 같이 표현할 수 있다.

ID=1/2뮤ncoxW/L(v1-vth)제곱 (11.2)
Vo=VDD-1/2뮤ncoxW/L(v1-vth)제곱*RD(11.3)
일반적으로, 이 영역에서 주로 증폭기로 사용된다.

참고 자료

없음