서강대학교 디지털논리회로실험 9주차 결과보고서

목차

1. 실험목적
2. 배경이론 및 실험방법
3. 실험결과
4. 결과분석 및 토의
5. 검토사항
6. 참고문헌

본문내용

1. 실험목적
1) 메모리 소자들의 동작 원리와 활용 방법을 이해한다.
Read Only Memory(ROM)
Random Access Memory(RAM)
2) Address decoding의 개념과 구현 방법을 이해한다.
3) ROM을 이용해서 임의의 기능을 수행하는 combinational circuit을 구현하는 방법을 이해한다.

2. 배경이론 및 실험방법
ROM이란 Read Only Memory의 약자로, 아래는 n개의 주소 신호와 b개의 데이터 신호를 갖는 ROM의 기본적인 구조를 보여준다.
ROM에서는 저장된 내용이 전원을 제거하더라도 지워지지 않는(Non-Volatile) 특징을 가지고 있다. ROM의 한 종류인 EPROM의 경우, 저장된 내용을 자외선에 일정시간 노출시켜 지울 수 있다.
ROM에서는 주소 신호에 의해 내부의 memory array중의 한 단위 data의 위치를 지정한다. 이 data는 data bus를 통해 외부에 전달되는데, 이 data bus의 제어를 위해 두 핀이 연결된다. 첫 번째는 chip select(/CS)핀으로, address decoder의 출력이 연결된다. 두 번째는 output enable(/OE)핀에는 read를 위한 제어신호(/RD)가 연결된다.
Access time from address로 주소가 제공된 후 데이터가 관측되기까지 전달지연을
의미한다. 일반적으로 메모리의 동작속도를 언급할 때 tAA를 사용하는데, tAA의 크기가 작
을수록 더 빠르게 동작함을 의미한다.
RAM은 Random Access Memory의 약자로, 별도의 장치가 없이 데이터를 쓰거나 읽을 수 있는 기억소자이고 ROM과 달리 volatile(휘발성) 특성을 갖는 메모리이다. 데이터 유지 방식 및 구조에 따라 SRAM과 DRAM으로 구분하는데, SRAM은 static random access memory의 약자로, 구조는 복잡하지만 외부 캐시(cache)를 사용해 처리속도가 빠르게 동작한다.

참고 자료

디지털논리회로 실험교재, 서강대학교 전자공학과 lab9
S. Brown and Z. Vranesic, “Fundamentals of Digital Logic with VHDL Design,’ 3 rd edition, McGraw-Hill, 2009.