MOSFET 기본특성

소개글

성균관대 전자회로실험 레포트입니다

A+받았으며 당시 전체 학생 중 1등하였습니다

목차

1. 실험 개요

2. 실험 기자재 및 부품

3. 예비 이론
(1) 이미터 팔로워

4. 실험회로 및 Pspice 시뮬레이션

5. 예비 보고 사항

6. 실험 절차

7. 출처 (Reference)

8. 고찰

본문내용

1. 실험 개요
MOSFET은 전계 효과(field effect)를 이용하여 전류가 흐르는 소자이며, 전하를 공급하는 소오스 단자. 전하를 받아들이는 드레인 단자, 전류의 양을 조절하는 게이트 단자, 기판의 역할을 하는 바디 단자로 구성되어 있다. 게이트 전압을 바꾸면 드레인에서 소오스로 흐르는 전류가 바뀌면서 증폭기로 동작할 수 있다. 이 실험에서는 MOSFET의 기본적인 동작 원리를 살펴보고, 전류-전압 특성 및 동작 영역을 실험을 통하여 확인하고자 한다.

2. 실험 기자재 및 부품

● DC 파워 서플라이 ● 디지털 멀티미터 ● 오실로스코프
● 함수발생기 ● 2n7000(NMOS) 1개 ● 저항
● 커패시터 ● FQP17P10(PMOS) 2개

3. 예비 이론

(1) 이미터 팔로워

MOSFET에서 MOS는 'Metal Oxide Semiconductor'의 약자로서 구조를 나타내며, FET는 ‘Fied Effect Transistor'의 약자로서 동작 원리를 나타낸다.

[그림 8-1(a)]와 같이 바디는 p형 기판, 소오스와 드레인 영역은 n+로 도핑을 한 MOSPET 구조를 'NMOS'라고 한다. 마찬가지로 바디는 n형 기판, 소오스와 드레인은 p+로 도핑항 MOSFET 구조를 ‘PMOS'라고 한다.

[그림 8-1(b)]는 NMOS의 단면도이다. 소오스와 드레인은 N형으로 도핑되어 있으므로 전자가 많이 존재한다. 전자가 소오스에서 드레인 영역으로 이동하기 위해서는 전가가 많은 n 영역이 필요하다. 이를 위해서 게이트에 충분히 큰 양의 전압을 인가하면 p형 기판의 일부가 n형으로 반전되고, 채널 영역이 형성된다. 소오스와 드레인 사이의 길이를 채널길이라고 하며, 'L'로 표시한다. 소오스와 드레인의 폭을 채널 폭이라고 하며, 'W'로 표시한다.

참고 자료

단계별로 배우는 전자회로실험 – 한빛아카데미 이강윤 지음
마이크로전자회로 6판 – 한티미디어, 정원섭/김호성/도규봉/유상대/정덕진 공역
http://www.ktword.co.kr/abbr_view.php?m_temp1=1429 - 동작영역
http://www.ktword.co.kr/abbr_view.php?m_temp1=5013&id=1227&nav=0 - 채널 길이 변조 효과
http://blog.naver.com/lws8661 - 동작원리