MOSFET 응용회로 및 주파수 특성 예비보고서

목차

1. 개요

2. 관련이론
1) MOSFET 스위칭 회로
2) MOSFET 증폭회로

3. 실험기기

4. 예비보고서

5. 실험순서

본문내용

I. 개요
Field Effect Transistor(FET)의 일종인 MOSFET의 응용 회로들을 구성해보고, 증폭기에서 주파수 특성에 대해 공부한다.

2. 관련이론
1) MOSFET 스위칭 회로
MOSFET는 그림1(a)에 보인 것처럼 gate와 채널 사이에 절연체(SiO2)가 있어 forward bias를 인가할 수 있다. 그림1(b)의 E-MOSFET는 n-채널 중간에 p-채널이 있어, gate-source에 전압이 인가되지 않았을 때 소스의 전자가 중간의 p-채널에 막혀서 drain에 도달할 수가 없다. 하지만 +전압을 인가하면 gate가 전자를 끌어당겨 가운데 p-채널의 hole과 결합하고, 더 끌어오면 n-채널로 변환되어 전류가 흐르기 시작한다. 전류가 흐르기 시작하는 최소 gate-source전압을 VGS(th)라 한다.

E-MOSFET를 스위칭 소자로 사용하기 위해서는 ohmic region과 cutoff region을 사용해야하고 그림2(a)의 회로로 구성할 수 있다. 그림2(b)의 load line에서 보듯이 ohmic region에서 동작시키기 위해서는 saturation 시켜야 하며, 이는 RD를 RDS(on)보다 충분히 크게 설정하여야 한다. E-MOSFET를 on으로 작동시키려면 gate 전압에 VGS(on)을 인가한다 (VGS(on) 값은 data sheet 참조). 이때 그림2(c)에 보인 것처럼 작은 저항(= RDS(on))으로 작동한다. off 시키기 위해서는 gate 전압에 0V를 인가한다(등가회로: 그림2(d)).

참고 자료

없음