기초회로실험 휘트스톤 브리지 결과레포트(A+)

소개글

기초회로실험 휘트스톤 브리지 결과레포트입니다. 실험과정에 충실하게 작성하였습니다.

목차

1. 실험 목적
2. 실험재료
3. 관련 이론
4. 실험결과
5. 결론
6. 오차의 원인
7. 오차해결방법
8. 평가 및 복습문제

본문내용

□ 실험 목적

1. 휘트스톤 브리지 회로에 대한 테브낭 등가회로를 구한다.
2. <목적 1>에서 구한 테브낭 회로가, 원래 회로와 비교해볼 때 부하에 대해 같은 결과를 갖는다는 것을 실험을 통해 증명한다.
3. 휘트스톤 브리지를 평형시키고 평형브리지에 대한 테브낭 회로를 구한다.

□ 실험재료
저항 : 470 Ω , 1.0 kΩ , 1.2 kΩ , 2.2 kΩ 각 1개씩
전위차계 :10 kΩ 1개

□ 관련 이론

휘트스톤 브리지는 미지저항의 크기 또는 그 값을 알고 있는 표준저항과의 비교가 용이하여 계측 응용에 주로 사용되는 회로이다.
미지저항값은 주로 스트레인 게이지(strain gauge) 같은 변환기를 나타내게 되는데 이것은 자극을 받으면 저항값이 아주 작게 변한다.

◆ 다음의 휘트스톤 브리지 회로를 테브낭 정리를 적용하여 b와 같이 바꿔주면 브리지의 부하저항에 흐르는 전류를 구할 수 있다

◆ 브리지에 테브낭 정리를 적용하는 방법

1. (b)와 같이 부하저항을 제거하고 전압원을 단락시킨다.

2. 전압원을 단락시킴으로 해서 R _{1} 과`R _{2} `,`R _{3} 와`R _{4}가 병렬임을 알 수 있다.

따라서 다음 공식을 만족한다.

◆ R _{TH} =`R _{AB} =`R _{1} `||`R _{2} `+`R _{3} `||`R _{4}

테브낭 전압에 부하가 없을 때 부하를 제거하고 나면 브리지는 다음과 같이 두 개의 마주선 전압분배기로 간단하게 구성된다.

참고 자료

없음