반도체 공정 중 식각 및 증착에 이용되는 플라즈마의 원리 및 발생방법 정리

소개글

"반도체 공정 중 식각 및 증착에 이용되는 플라즈마의 원리 및 발생방법 정리"에 대한 내용입니다.
렛유인 강의와 대학 전공 수업을 기반으로 직접 정리하여 반도체 과목 A+을 받을 수 있었습니다.

목차

1. 플라즈마란?
2. 플라즈마 특징
3. 플라즈마의 이온화율
4. 플라즈마 생성원리
5. 플라즈마 공정에서 라디칼과 이온의 이용
6. 플라즈마 발생원에 따른 구분
7. 쉬쓰
8. ion bombardment

본문내용

1. 플라즈마: 고체-액체-기체-플라즈마 (기체는 기체인데 기체의 고유상태와는 다른 상태를 가짐) 플라즈마를 제 4의 상태라고 하기보단 ionized된 기체상태라고 설명하는 것이 옳다.
보통 반도체 공정에서 사용하는 플라즈마는 GLOW DISCHARGE

2. 플라즈마의 특징
1) 전체적으로 기체의 성질을 갖지만 전기 전도체이며 자기장의 영향을 받음. (전기장과 자기장에서 영향을 받음)
2) 집합적 행동 : 하전입자의 거동을 롱레인지 힘이 지배
3) 플라즈마는 전체적으로는 중성이지만 숏레인지에서는 중성이 깨짐 =>준중성의 특성을 가짐

3. 플라즈마의 이온화율
플라즈마는 중성원자,라디칼,전자,양이온으로 구성됨. 이온화율은 주로 플라즈마 안의 전자 에너지에 의해 결정되는데, 대부분 반도체 공정용 플라즈마의 이온율은 0.001%이하임(저온플라즈마). 최근 사용하는 high density plasma(HDP)는 1%정도의 이온화율을 가지며, 태양도 플라즈마 상태인데, 태양핵의 이온화율은 100%임.
플라즈마 속의 이온밀도는 실제로는 굉장히 낮음 1토르 기압에서 10의 10제곱개 정도. (굉장히 낮은 밀도임)

참고 자료

없음