[A+] 중앙대 전자회로설계실습 예비보고서 4주차 MOSFET 소자 특성 측정
- 최초 등록일
- 2021.04.07
- 최종 저작일
- 2020.04
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소개글
"[A+] 중앙대 전자회로설계실습 예비보고서 4주차 MOSFET 소자 특성 측정"에 대한 내용입니다.
목차
1. 목적
2. 준비물 및 유의사항
3. 설계실습 계획서
3.1 MOSFET의 특성 parameter 계산
3.2 MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션 (OrCAD PSPICE)
본문내용
1. 목적
MOS Field-Effect Transistor(MOSFET) 소자의 특성(VT, kn, gm)을 Data Sheet를 이용하여 구하고, 설계, 구현하여 전압의 변화에 따른 전류를 측정하고, 이를 이용하여 소자의 특성을 구한다.
2. 준비물 및 유의사항
DC Power Supply (2channel) : 1대
Digital Multimeter (이하 DMM) : 1대
40cm 잭-집게 연결선 (빨강) : 4개
40cm 잭-집게 연결선 (검정) : 4개
Bread board (빵판) : 1개
점퍼 와이어 키트 : 1개
MOSFET : 2N7000 : 1개
저항 1 MΩ 1/2W : 1개
<중 략>
(E) PSPICE를 이용하여 iD-vDS 특성곡선을 제출하여라.
참고: [Current Marker : Drain단 위치, 시뮬레이션 세팅: ① Analysis type->DC Sweep, Sweep variable->Voltage source->VDC 이름 적기(Drain 전압), Start value->0V, End value->5V, Increment->0.1V ② Secondary Sweep 클릭, Sweep variable->Voltage source->VDC 이름 적기(Gate 전압), Start value->VT+0.5V, End value->VT+0.7V, Increment->0.1V]
참고 자료
없음