전자회로 실험 결과 보고서 다이오드 이론 및 특성

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목차

1. 실험목적
2. 사용기기 및 부품
3. 관련이론
4. 실험 과정
5. 실험 결과 및 분석
6. 결론

본문내용

1.실험목적
1)반도체 다이오드의 순방향 및 역방향 바이어스의 효과를 측정할수 있다
2)반도체 다이오드의 I-V특성을 실험적으로 결정한다.
3)저항계로 다이오드를 검사하는 방법을 익힌다.

2.사용기기 및 부품
직류가변전원 : 0-30V
디지털멀티미터
전류계(멀티테스터 기)
저항 : 250Ω 1개
다이오드 : Si(1N4154), Ge(1N4454)

3.관련이론
반도체는 도체와 부도체의 중간정도의 저항을 갖는 고체로서 게르마늄 또는 실리콘 결정체이다.
순수 게르마늄의 저항은 45[]정도 이고 순수 실리콘의 저항은 수천[]정도 이다
순수게르마늄이나 순수 실리콘만으로 구성된 반도체를 진성반도체 라고 하는데 이 진성반도체 자체는 저항이 크기 때문에 진성반도체 그대로를 이용하지 않고 3가원소(붕소 , 알루미늄, 갈륨, 인듐)나 5가 원소(인, 비소, 안티몬)를 주입한다.

< 순수 반도체 에 3가원소 미량 주입 = p형 반도체, 순수반도체 에 5가원소 미량 주입 = n형반도체 >
반도체 소자는 부피가 작고 가벼우며, 진동에 강하고, 전력소모가 적으며, 주위환경의 영향이작다. 그리고 극소형화 가 가능하다는 특성을 가지고 있기 때문에 오늘날의 전자시스템은 모두 반도체 소자로 구성한다.

참고 자료

없음