기초실험 23장 MOS-FET CS증폭기 결과 레포트

소개글

"기초실험 23장 MOS-FET CS증폭기 결과 레포트"에 대한 내용입니다.

목차

1. 실험 회로
2. 회로실험결과
3. 실험관련질문
4. 고찰

본문내용

6. 실험 관련 질문
1. 표 23-1의 실험데이터로부터 드레인 전류가 차단될 때의 V(GS)의 값을 구하여라.
드레인 전류가 차단될 때 V(GS)는 측정되지 않는다. 드레인 전류가 차단되는 것은 MOSFET이 차단 영역에서 동작한다는 의미이므로 게이트 전압이 문턱전압보다 낮다는 것이다.

2. 위의 질문에서 I(D)가 차단되지 않았다면, I(D)가 차단되는 V(GS)값을 결정하는 방법을 설명하여라.
실험적으로 게이트-소오스 전압을 서서히 올릴 때, 드레인 전류가 급격히 늘어나기 시작하는 전압이 I(D)가 차단되는 V(GS)값이다.
이론적으로 드레인전류, 게이트-소오스 전압, 문턱전압의 관계식은 다음과 같다.
상수 K는 MOSFET의 종류에 따른 고유 값이다. V(GS)(th) 문턱전압은 규격표에 나와 있으므로 문턱전압이 바로 I(D) 드레인 전류가 차단되는 V(GS) 값이다.

3. 공핍형 MOS-FET는 무엇을 의미하는가?
공핍형 소자를 사용한 MOS-FET이라 하는데, 공핍형 MOSFET는 전자가 지나갈 수 있는 채널(캐리어가 이동하는 경로)이 형성되어 있기 때문에 Vgs=0일 때에도 드레인 전류 I(D)가 0이 아닌 특성을 가진다.

참고 자료

없음