논리회로실험 A+예비보고서 9 RAM

소개글

안녕하세요.
'반도체읽어주는남자'입니다.

- 본인 인증
- 학점 인증
- 전자공학과 졸업 인증
- 삼성전자 반도체공정 재직 인증

모든 회로를 직접 사진 찍었으며, 각 단계별 다이오드 변화사진도 첨부되어 있습니다.
직접 작성한 자료들 입니다.

목차

1. 실험 목적
2. 실험 이론
3. 실험 부품
4. 실험 방법
5. 예상 결과
6. 출처
7. 회로 결선도

본문내용

1. 실험 목적
-반도체 memory의 기본적인 동작원리를 알 수 있다.
-16-bit 기억소자의 동작을 실험을 통해 확인할 수 있다.

2. 실험 이론
1) RAM
-데이터를 저장하거나 저장된 데이터를 읽어낼 수 있는 기억장치이다.
-전원이 끊어지면 기록된 정보도 날아가기 때문에 휘발성 메모리(Volatile Memory)라고 한다.
-컴퓨터의 주기억장치, 응용 프로그램의 일시적 로딩(loading), 데이터의 일시적 저장 등에 사용된다.
-크게 읽기(Read), 쓰기(Write) 동작이 가능한데, 읽기는 저장되어 있는 데이터를 읽어내는 것이고, 쓰기는 데이터를 저장하는 것이다.
-쓰기 동작에서는 데이터가 저장될 주소값을 주소선을 통하여 입력하고 저장할 데이터를 데이터선을 통해 입력한 뒤 제어선을 통해 쓰기 신호를 주게 되면 해당 주소(address)에 데이터가 저장된다.
-읽기 동작에서는 주소선을 통해 주소값을 입력하고 제어선을 통해 읽기 신호를 주면 입력한 주소값에 해당되는 주소에 저장되어 있던 데이터가 데이터선을 통해 출력된다.

참고 자료

http://terms.naver.com/entry.nhn?docId=1087343&cid=200000000&categoryId=200003355
http://terms.naver.com/entry.nhn?docId=1180951&cid=200000000&categoryId=200003355
http://terms.naver.com/entry.nhn?docId=1169752&cid=200000000&categoryId=200003062

압축파일 내 파일목록

논리회로실험 A+학점인증.pdf
논리회로실험_A+예비보고서_9_RAM.hwp