전자회로실험1 4주차예보

목차

I. 실험 제목

II. 실험 목적

III. 기초 이론
1. BJT 구성 및 특성
2. BJT 동작 및 바이어스
3. 컬렉터, 베이스, 이미터 전류
4. 트랜지스터의 전류이득
5. 트랜지스터 데이터
6. 평균 컬렉터 특성(그림4-5)

IV. 실험 과정

V. Pspice 시뮬레이션

본문내용

1.BJT 구성 및 특성
- BJT(Bipolar Junction Transistor)는 PN접합의 실리콘 또는 게르마늄 다이오드의 한층을 더하여, P형과 N형 반도체 3개를 결합하여 만든 소자이다. 종류는 npn형과 pnp형이 있다.
- BJT는 단자가 Emitter, Base, Collector의 세 개의 단자로 구분한다.
▶npn : 이미터 영역과 컬렉터 영역이 n형, 베이스 영역은 p형
▶pnp : 이미터 영역과 컬렉터 영역이 p형, 베이스 영역은 n형
- BJT의 회로 기호는 npn형이든 pnp형이던 중간층이 트랜지스터의 베이스 부분이고 바깥 두 층이 트랜지스터의 컬렉터와 이미터 부분이다. 단자에 표시된 화살표는 전류 흐름의 방향을 나타낸다.

2.BJT 동작 및 바이어스
- BJT는 아날로그 교류신호 증폭의 용도로는 active mode에서 동작시키고, 디지털 스위치 회로 등의 용도로 cutoff mode나 saturation mode에서 동작시켜 사용한다. 스위치로서 트랜지스터를 사용할 경우, 차단모드에서는 스위치 개방이어 전류 흐름이 없으며, 포화모드에서의 동작은 스위치 단락상태로 전류가 흐른다.
- npn형 BJT의 능동모드 : 이미터-베이스 사이는 순방향 바이어스, 컬렉터-베이스 사이는 역방향 바이어스

참고 자료

없음