전자회로실험1 8주차예보

목차

1. 실험 제목
2. 실험 목적
3. 기초 이론
4. 실험 과정
5. Pspice 시뮬레이션

본문내용

실험 제목
MOSFET의 특성

실험 목적
① 소자문턱전압과 소자 전도도 변수를 측정해본다.
② MOS소자의 특성곡선을 측정해보고, 이를 통해서 MOS의 여러특성에 대해 알아본다.

기초 이론
1. FET
- FET는 BJT와 마찬가지로 제 3의 단자에 흐르는 전류를 제어한다. 따라서 증폭기나 스위치로 사용된다. FET는 여러종류가 있지만 MOSFET를 가장 많이 사용하고 MOS트랜지스터는 작게 만들 수 있으며 제조공정이 비교적 간단한다.

2. 전류 전도를 위한 채녈의 형성
- NMOS트랜지스터의 채널형성과정
: 게이트가 소스에 대해 양의전위를 가지면 자유정공들이 채널 영역의 아래로 밀려나고 정공이 있던 자리에는 캐리어-공핍영역이 남게된다. -> 양의 게이트 전압은 전자들이 풍부한 n+소스 및 드레인 영역으로부터 채널영역으로 전자를 끌어당긴다. -> 충분한 수의 전자들이 게이트 아래의 기판 표면 근처에 축적되면 n영역이 만들어져 소스와 드레인 사이를 전기적으로 연결한다. -> 임의의 전압이 드레인과 소스 사이에 인가된다면 유도된 n영역이 전류를 드레인으로부터 소스로 흐르게 하는 채널이 형성된다.

참고 자료

없음