(A+) 이학전자실험 트랜지스터 실험보고서

소개글

"(A+) 이학전자실험 트랜지스터 실험보고서"에 대한 내용입니다.

목차

1. 실험 목적

2. 실험 이론
(1) 트랜지스터 (Transistor)
(2) 트랜지스터의 특성곡선
(3) 트랜지스터 이미터 공통회로(Transistor common emitter)
(4) 트랜지스터 증폭 작용 (Transistor Amplifier)
(5) 이미터 접지법

3. 실험 기구 및 재료

4. 실험 방법
1) 동작영역 관찰
2) Collector 특성 곡선
3) Bypass Capacitor와 전압증폭률 Av

5. 실험 결과
1) 동작영역 관찰
2) Collector 특성 곡선
3) Bypass Capacitor와 전압증폭률 Av

6. 결론

본문내용

1. 실험 목적
Bipolar Junction Transistor를 사용해 Common-Emitter 증폭 회로를 구성하여 트랜지스터의 3가지 동작 영역 Cut off ∙ Saturation ∙ Linear region을 관찰하고, 베이스 전류의 변화에 따른 컬렉터 특성곡선을 그리고 전압 변화에 따른 전압 이득을 계산하여 증폭 특성을 확인하며, 또한 Bypass capacitor가 증폭 회로에서 하는 역할을 이해하는 것을 목적으로 한다.

2. 실험 이론
(1) 트랜지스터 (Transistor)
트랜지스터는 전류 및 전압의 증폭작용과 스위칭 역할을 하는 반도체 소자로 p, n형의 반도체를 접합하여 PNP 접합형, 또는 NPN 접합형으로 만든 트랜지스터를 뜻한다. 보통 실리콘과 저마늄 반도체를 접합하여 제작하여 접합형 트랜지스터 (Bipolar Junction Transistor: BJT) 라고도 부른다. NPN형 트랜지스터와 PNP형 트랜지스터 모두 가운데의 단자는 Base이고 양 끝의 단자는 Collector와 Emitter이다. Emitter와 Collector는 반도체의 종류가 같으나, 더 높은 불순물 농도로 도핑된다. N형의 가운데에 P형을 삽입하면 NPN 접합 트랜지스터가 되고, P형에 제어용 전극 N형을 삽입하면 PNP형 트랜지스터가 된다. 이미터(Emitter)에서는 총 전류가 흐르고 얇은 막으로 된 베이스(Base)가 전류의 흐름을 제어하며, 증폭된 신호가 콜렉터(Collector)로 흐른다.
각 단자의 순서를 확인하려면 Transistor 제조사의 Data Sheet를 참조하는 것이 올바르나, 그러지 못할 시에는 트랜지스터는 다이오드에 반도체를 하나 더 접합한 것과 같기 때문에, 멀티미터의 Diode Test 기능을 이용하여 Base에 멀티미터의 음극, 양 끝 중 하나의 단자에 멀티미터의 양극을 연결하여 Test해, 순방향이라면 일단 PNP, 역방향이라면 NPN일 것이다.

참고 자료

부산대학교 물리학과, 세번째 실험-트랜지스터 : new_3rd_week_v6.docx, 2019.
Fairchild Semiconductor, 2N6517 NPN Epitaxial Silicon Transistor, Aug 2010.
NAVER, 트랜지스터의 특성, Sep 29, 2019 참조.
https://terms.naver.com/entry.nhn?docId=1982037&cid=42331&categoryId=42334.