화공계측실험Final-Report(10)-Photolithography
- 최초 등록일
- 2020.06.12
- 최종 저작일
- 2018.04
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목차
1. 실험 제목
2. 실험 목적
3. 실험 과정
4. 실험 결과
5. 결과 분석
6. 결론
7. 참고문헌
본문내용
1. 실험 제목
Photolithography
2. 실험 목적
이번 실험에서는 Negative 와 Positive pr을 이용해 Si wafer 판에 전극 모양을 그릴 것이다. 두 pr이 가진 성질의 차이점을 developing이 끝난 전극 모양을 통해 분석하는 것이 이번 실험의 목적이다.
3. 실험 과정
우선 두개의 Si wafer 판을 준비하고 Spin coater 위에 판 1개를 올려놓는다. 원하는 PR을 Si wafer 판 위에 꽉 차게 올린다. Positive pr은 DSAM을 Negative는 DNR-L300 을 사용한다.
<중 략>
5. 결과 분석
전체적으로 전극의 해상도가 높지 않았다. P-type의 경우 N-type에 비해서 해상도가 높은 편이지만 숫자가 잘 보이지 않았다. 또한 pr이 남아있어야 하는 부분임에도 불구하고 점의 형태로 wafer 표면이 보이는 곳이 있었다
참고 자료
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Proc. SPIE 3049, Advances in Resist Technology and Processing XIV, 28 (1997)
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J. Photopolymer Sci. Tech., Vol.4 No.3, 299-318 (1991)