MOSFET 전기적 특성 CG 증폭기

소개글

"MOSFET 전기적 특성 CG 증폭기"에 대한 내용입니다.

목차

1. 결과
2. 고찰
3. 실험날짜
4. 실험제목
5. 예비이론
6. 출처

본문내용

오늘 실험은 공통 소스 증폭기 회로를 구성하고 전압 이득을 구하는 실험을 하였다. 우선 1번 실험은 VDD 8V, VGG 2V로 고정하고 가변 저항 RGG 값을 조정하면서 Vout이 4V가 나오는 값을 찾았는데 약 5.6kohm이 측정되었다.

2번 실험은 1번 조건에서 VGG값을 변화시키면서 load저항 RL의 전압 값을 측정하는 실험이다. 게이트 전압을 0V부터 증가시키면서 실험을 하는데 2V까지는 대략 4V정도를 유지하다 그 이후부터 급격히 감소하고 3V 이후부터는 거의 0에 가깝게 일정한 값이 측정됐다. 2V 까지는 아직 채널이 형성되지 않아서 MOSFET에 전류가 흐르지 않아 RL쪽으로 전류가 흘러서 4V가 측정된 것 같다.

참고 자료

MOSFET 공통 게이트 증폭기: http://web.yonsei.ac.kr/hgjung/Lectures/ENE301/6%20FET%20%EC%A6%9D%ED%8F%AD%EA%B8%B0.pdf
https://blog.naver.com/tlsrka649/221652940281
https://blog.naver.com/jis2312/221298803357