BJT 전기적 특성 증폭 동작

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목차

1. 결과
2. 고찰
3. 실험날짜
4. 실험제목
5. 예비이론
6. 출처

본문내용

NPN, PNP 트랜지스터의 공통 컬렉터 모드 회로를 구성하고 각 단자의 전압과 전류를 측정하였다. R2저항값을 바꿔가면서 실험한 결과 NPN 트랜지스터는 R2가 클수록 전류 이득이 커지고 R2가 작을수록 전류 이득이 작아졌다. 반대로 PNP 트랜지스터는 R2가 클수록 전류 이득이 작고 R2가 작을수록 전류 이득이 커졌다. NPN의 경우 현재 회로는 Inverse Active모드 이므로 IC=IB+IE 이여서 출력 전류 IC는 항상 IE보다 크다. 그런데 VEB는 값이 거의 일정하므로 IE*(R1+R2)도 값이 일정해야 한다. 그래서 R1+R2가 커지면 IE는 작아져서 결과적으로 전류 이득 IC/IE 는 커지게 된다. PNP는 Active 모드 이므로 IE=IC+IB 이여서 출력 전류 IC는 항상 IE보다 작다.

참고 자료

https://www.electronics-tutorials.ws/amplifier/amp_2.html
http://cad.knu.ac.kr/micro/bjt/ceamp.html
https://slidesplayer.org/slide/15464053/
http://web.yonsei.ac.kr/hgjung/Lectures/ENE301/4%20BJT%20%EC%A6%9D%ED%8F%AD%EA%B8%B0.pdf
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