BJT 전기적 특성 BE, BC 다이오드
- 최초 등록일
- 2020.04.21
- 최종 저작일
- 2019.09
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소개글
"BJT 전기적 특성 BE, BC 다이오드"에 대한 내용입니다.
목차
1. 실험제목
2. 예비이론
1) BE 다이오드 특성
2) BC 다이오드 특성
3) 열에 따른 Diode특성
3. 참고문헌
본문내용
2. 실험제목 : BJT 전기적 특성 관찰
3. 예비이론 :
[1] BE 다이오드 특성
Base와 Emitter는 PN접합으로 되어있고, NPN BJT의 경우 Base는 P-type으로 Emitter는 N-type으로 되어있다. 이 BJT를 active영역에서 동작시키려면 Base에는 (-)전압, Emitter에는 (+)전압을 가하여 PN 접합에 순방향 바이어스를 가한다. 그러면 PN 다이오드의 전위장벽이 작아지고 그래서 N-type쪽의 전자는 P-type으로 이동하고 P-type의 정공은 N-type으로 이동하여 PN접합 사이에서 순방향 전류가 흐르게 된다. 이때 문턱전압(Threshold voltage)이상의 전압이 가해져야 순방향 전류가 흐르게 된다. 이 문턱전압은 보통 0.7V정도 이다.
참고 자료
BJT BE, BC
https://en.wikipedia.org/wiki/Bipolar_junction_transistor
https://learn.sparkfun.com/tutorials/transistors/all
https://www.electronicshub.org/signal-diode-tutorial/
다이오드 온도 특성
https://m.blog.naver.com/PostView.nhn?blogId=pro_000&logNo=221018415196&proxyReferer=https%3A%2F%2Fwww.google.com%2F
https://www.researchgate.net/figure/10b-Effect-of-temperature-on-the-I-V-characteristics-of-a-P-N-Junction-diode_fig10_312190335
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