실리콘 웨이퍼 표준 세정, Cr증착, photolithography 공정 최종보고서

소개글

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목차

Ⅰ. 실험목적

Ⅱ. 이론(요약)
1. 세정법
2. 증착
3. Photolithography

Ⅲ. 실험
1. 재료
2. 실험장치
3. 실험방법

Ⅳ. 실험 결과 및 고찰
1. RCA 세정
2. Cr 증착
3. photo 공정

Ⅴ. 결론

참고문헌

본문내용

제 1 장. 실험목적
반도체 제조공정의 핵심공정인 포토리소그래피 공정까지의 공정을 수행함으로서 세정방법과 증착의 원리, 포토리소그래피 공정의 중요성 등을 인식하고 공정을 이해하기 위함.

제 2 장. 이론(요약)
1. 세정법
웨이퍼를 제조하여 준비된 이후 이를 공정에 이용하기 위한 가장 첫 단계는 세정단계이다. 세정의 목적은 실리콘 웨이퍼 표면의 불순물, 유기물 오염, 표면피막, 입자상 불순물 등의 오염을 물리적, 화학적 방법을 이용하여 제거하는 것이다. 다음은 웨이퍼 표면 오염의 분류이다.

표1. 웨이퍼 표면오염의 분류

세정은 크게 습식세정과 건식 세정으로 나뉘며 습식세정은 또 다시 여러 가지 세정법으로 나뉘어진다. 습식 세정법은 용액 중에 웨이퍼를 노출시켜 화학적 용해 등에 의해서 오염을 제거하는 방식으로 오염물을 포함한 용액을 가볍게 씻어내기 위해 DI water로 rinse와 건조가 요구된다. 건식 세정법은 가스 상태에서 웨이퍼 표면의 오염믈 제거하는 방식이다. 과거에 여러 가지 기법이 시도되었지만 완전 건식화는 이루어지지 않아 습식 방식과 병용하여 오염을 제거하는 경우가 많다. 마지막으로 기계적 세정법은 얼음, 드라이 아이스, 아르곤 에어졸 등을 불어서 웨이퍼 표면을 청정화 하는 방식이다. 화학 기계연마 공정 후 연마제가 부착된 표면 세정 등에 유효하다.
습식세정에는 가장 대표적으로 RCA Clean(SC-1, SC-2)가 있으며 이를 약간 수정한 Piranha 용액, HF 세정, 화학 증기 기상 세정법이 있다. 각 오염물질을 제거하는 용액과 그 용액의 성분을 아래 표에 나타내었다.

표2. 웨이퍼 습식세정 화학물질

습식화학 세정시 고려해야 할 사항들이 있다. 첫 번째로 온도이다. 온도가 증가하면 화학 물질의 반응성이 증가하고 오염물질이 물에 녹는 용해도를 증가시켜 세정이 빨리 이루어지게 한다. 그러나 웨이퍼 표면에 금속 복합 물질의 도금작용을 증가시킬 수도 있어 주의해야 한다.

참고 자료

이형옥, 집적회로 제조를 위한 반도체 공정 및 장치 기술, p.87~100.263~272, 성학당, 2005년
최우영 외 2명, 실리콘 집적회로 공정기술의 기초, p.314~322, 문운당, 2011년
Michael Quirk 외 1명, semiconductor manufacturing technology, p.340,341,167,174, Prentice-Hall, 2001년