온도변화에 따른 Metal과 Semiconductor의 저항변화(결과 레포트)

목차

1. 실험 방법
2. 실험 결과
3. 결론 및 고찰
4. Reference

본문내용

1. 실험 방법
온도변화에 따른 Metal과 Semiconductor의 저항의 변화를 측정하기 위해 먼저 Metal과 Semiconductor를 대표하는 2가지 시편을 준비하였다. 그것이 Cu와 Si인데, 여기서 Si는 Doping하지 않은 Intrinsic semiconductor를 사용하였다. 앞서 준비한 2개의 시편을 Hot plate위에 올려놓은 후 Hot plate를 가열하는데, 이때 온도측정기를 이용하여 온도를 측정한다. 약 5분정도 Hot plate를 가열하면 온도가 300℃이상이 되는데 이때 Hot plate의 가열을 멈춘다. 가열을 멈추면 Hot plate와 시편은 air cooling되어 자연스럽게 온도가 내려간다. Hot plate와 시편의 온도는 거의 차이가 없으므로 같다고 가정하고, Hot plate의 온도를 계속하여 측정하고 270℃부터 30℃간격으로 Cupper와 Si를 LCR Meter를 이용하여 30℃까지 저항을 측정한다.

참고 자료

Fundamentals of Materials Science and Engineering, wiley, callister&Rethwisch
Solid state electronic devices, pearson, Ben G. streetman